RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2020, том 190, номер 7, страницы 673–692 (Mi ufn6552)

Эта публикация цитируется в 19 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Топологические изоляторы на основе HgTe

З. Д. Квонab, Д. А. Козловab, Е. Б. Ольшанецкийa, Г. М. Гусевc, Н. Н. Михайловa, С. А. Дворецкийa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Instituto de Fisica da Universidade de São Paulo

Аннотация: Дан обзор наиболее интересных результатов экспериментальных исследований двумерных и трёхмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе квантовых HgTe-ям и плёнок HgTe. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести нелокальный баллистический и диффузионный транспорт, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Для трёхмерного ТИ — это достижение рекордно высокой подвижности (до $5\times10^{5}~$ см$^2$ В$^{-1}$ с$^{-1}$) поверхностных двумерных дираковских фермионов (ДФ) и определение благодаря этому всех его основных параметров (объёмной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе шубниковских осцилляций ДФ, свидетельствующей о жёсткой топологической связи их спина и импульса. В заключении обсуждаются перспективы дальнейших исследований.

PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs

Поступила: 13 мая 2019 г.
Доработана: 25 сентября 2019 г.
Одобрена в печать: 4 октября 2019 г.

DOI: 10.3367/UFNr.2019.10.038669


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2020, 63:7, 629–647

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024