Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах

Обзор теоретических представлений о комбинационном рассеянии света (КРС) свободными носителями тока в полупроводниках и металлах. В качестве источников рассеивающих свет флуктуаций обсуждаются различные элементарные возбуждения: одночастичные флуктуации зарядовой плотности и плазмоны, флуктуации спиновой плотности, флуктуации плотности электронной энергии и импульса. Эти элементарные возбуждения являются общими для различных твердых тел: металлов, полуметаллов, полупроводников, сверхпроводников. В качестве адекватного математического аппарата, отражающего единую природу спектров КРС этих элементарных возбуждений в различных твердых телах, предлагается макроскопический подход к описанию их релаксации. В этом подходе различаются два механизма релаксации: диффузионный механизм, при котором релаксация идет за счет дидрфузионных потоков различной природы, и механизм Мандельштама–Леонтовича, при котором имеет место адиабатическая релаксация рассеивающих свет флуктуаций. В многодолинных полупроводниках эти механизмы сосуществуют вместе, давая аддитивный вклад в обратное время релаксации флуктуаций; в однодолинных полупроводниках, металлах и сверхпроводниках реализуется один из этих механизмов в зависимости от деталей электронной зонной структуры. При этом определяющая сечение КРС корреляционная функция удовлетворяет тому самому кинетическому или диффузионному уравнению, что и сама флуктуирующая величина. В качестве технических применений указана возможность бесконтактного определения параметров электронного спектра полупроводников, металлов, полупроводниковых сверхрешеток и сверхпроводников. Табл. 6. Ил. 28. Библиогр. ссылок 119 (120 назв.).