Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках

Обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию эффекта Фарадея и в новом классе материалов — полумагнитных полупроводниках (ПМП). Обсуждаются механизмы возникновения гигантского эффекта Фарадея в ПМП, в основе которых лежат s, p-d-обменные взаимодействия экситонов, электронов, дырок с магнитными ионами. Рассмотрены особенности проявления фарадеевского вращения (ФВ) в зависимости от длины волны излучения, концентрации магнитной компоненты, температуры, напряженности магнитного поля для кристаллов A$^2$B$^6$, A$^2_{1-x}$Mn$_x$B$^6$ и других ПМП (GaAs, CdP$_2$, Pb$_{1-x}$Mn$_x$I$_2$). Уделено внимание вопросам использования ФВ для излучения перехода парамагнетик-спиновое стекло, выяснения роли релаксационных процессов с участием магнитных ионов Mn$^{2+}$, экситонов, поляронов в прямом и обратном эффектах Фарадея, специфики ФВ в тонких пленках ПМП и спиновых сверхрешетках. Проанализированы возможности практического применения эффекта Фарадея в ПМП для разработки магнитооптических устройств (оптических изоляторов, волоконнооптических датчиков магнитного поля). Табл. 3. Ил. 25. Библиогр. ссылок 82.