RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 1989, том 157, номер 1, страницы 185–195 (Mi ufn7615)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

ИЗ ТЕКУЩЕЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

Н. С. Маслова, В. И. Панов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 $\times$ 7). На примере химической реакции NH$_3$ с поверхностью Si (111)-(7 $\times$ 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных “болтающихся связей”.

УДК: 537.533.35

PACS: 68.37.Hk, 68.35.Bs, 73.20.At, 68.43.-h, 82.65.+r

DOI: 10.3367/UFNr.0157.198901f.0185


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 1989, 32:1, 93–99


© МИАН, 2024