Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов

Обзор теоретических и экспериментальных работ по заряженным дислокациям в щелочногалоидных кристаллах. Описана тонкая структура краевой дислокации с дефектами на линии дислокации. Дается последовательное изложение теории стационарной заряженной дислокации от рассмотрения ее в виде бесконечно длинной заряженной нити до учета тонкой структуры дислокационной линии. Изложены феноменологические модели, рассматривающие заряд на движущейся дислокации. Рассмотрены силы, действующие на дислокацию, и особенности ее движения при приложении внешней механической нагрузки и электрического поля. Описаны прямой и обратный дислокационные пьезоэффекты в кристалле, содержащем подвижные заряженные дислокации. При изложении экспериментальных работ особое внимание уделено исследованиям, позволяющим дать количественную оценку линейной плотности заряда на дислокации. Ил. 13. Библиогр. ссылок 116.