RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2009, том 179, номер 9, страницы 921–930 (Mi ufn816)

Эта публикация цитируется в 29 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид

В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников СО РАН

Аннотация: В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO$_2$, Si/SiO$_x$N$_y$) и диэлектрик/диэлектрик (Si$_3$N$_4$/SiO$_2$) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.

PACS: 61.43.-j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv

Поступила: 21 октября 2008 г.
Доработана: 17 апреля 2009 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909a.0921


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2009, 52:9, 869–877

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024