RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 1985, том 145, номер 2, страницы 329–346 (Mi ufn8270)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

ФИЗИКА НАШИХ ДНЕЙ

Некоторые физические аспекты ионной имплантации

В. С. Вавилов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва

Аннотация: Имплантация ионов и родственные ей процессы осаждения и распыления. – Неравновесностъ и метастабильность ионно-имплантированных структур. – Аморфные твердые тела, создаваемые имплантацией ионов, и планарные структуры, их включающие. – Рекристаллизация слоев, легированных или (и) амортизированных имплантацией ионов. – Анализ состава и свойств ионно-имплантированных планарных структур. – Метод анализа спектров фото- и катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев. – Оптическая методика изучения приповерхностных слоев ионно-имплантированных структур. – Емкостная спектроскопия энергетических уровней. – О пределах применимости ионной имплантации как метода управления свойствами полупроводников и других твердых тел.

УДК: 541.132

PACS: 81.15.Cd, 68.55.Ln, 68.55.Nq, 78.55.-m, 78.60.Hk, 78.66.Jg

DOI: 10.3367/UFNr.0145.198502e.0329


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 1985, 28:2, 196–206


© МИАН, 2024