RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 1985, том 147, номер 3, страницы 459–484 (Mi ufn8394)

Эта публикация цитируется в 22 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Диссоциативное прилипание электрона к молекуле

А. В. Елецкий, Б. М. Смирнов


Аннотация: Обзор современного состояния исследований процесса диссоциативного прилипания электрона к молекуле, являющегося одним из основных механизмов образования отрицательных ионов в плазме электроотрицательных газов. На основе полуклассического модельного подхода анализируются основные характеристики процесса и их зависимость от параметров молекулы и энергии электрона. Рассмотрены важнейшие экспериментальные методы получения информации о характеристиках излучаемого процесса. Представлена информация подобного рода, полученная в последние годы. Анализируются ситуации, в которых процесс диссоциативного прилипания оказывает существенное влияние на свойства конкретных систем, содержащих низкотемпературную плазму. Среди этих систем – газовые лазеры, оптогальванические устройства, разряд высокого давления, газовые диэлектрики. Табл. 5. Ил. 16. Библиогр. ссылок 117 (126 назв.).

УДК: 539.196.6

PACS: 34.80.Ht, 31.15.Gy

DOI: 10.3367/UFNr.0147.198511b.0459


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 1985, 28:11, 956–971


© МИАН, 2024