RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 1985, том 147, номер 3, страницы 523–558 (Mi ufn8396)

Эта публикация цитируется в 57 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений

М. И. Клингерa, Ч. Б. Лущикb, Т. В. Машовецa, Г. А. Холодарьc, М. К. Шейнкманd, М. А. Элангоb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
b Институт физики АН ЭССР
c Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
d Институт физики полупроводников АН УССР, г. Киев

Аннотация: Рассмотрен новый тип безызлучательных переходов в неметаллических твердых телах, сопровождаемых не выделением тепла, а большими (по сравнению с межатомными расстояниями) смещениями отдельных атомов. Дана классификация таких нестабильностей в кристаллах и стеклах (электростатических, электронно-колебательных, структурных), ведущих к рождению дефектов. Описаны процессы дефектообразования как в ионных кристаллах при распаде автолокализующихся экситонов, так и в полупроводниках при многократной ионизации атомов вблизи исходно существующих заряженных центров примесей. Обсуждены механизмы перестройки сложных дефектов в полупроводниках при введении неравновесных носителей тока и при рекомбинации электронов и дырок. Рассмотрена роль носителей тока при тепловом создании дефектов. Обсужден механизм образования своеобразных дефектов в стеклообразных полупроводниках. Ил. 19. Библиогр. ссылок 212 (216 назв.).

УДК: 538.95

PACS: 61.72.Cc, 71.35.Aa, 61.43.Dq, 61.82.Fk

DOI: 10.3367/UFNr.0147.198511d.0523


 Англоязычная версия: DOI: 10.1070/PU1985v028n11ABEH003977


© МИАН, 2024