Тепловой захват электронов на дислокационные перегибы в полупроводниках

Из-за наличия проблемы рекомбинационно-стимулированного движения дислокаций в полупроводниках исследован процесс теплового захвата электрона на дислокационный плавный перегиб. Многофононный захват становится возможным благодаря локализации носителя на перегибе. При помощи волновой функции локализованного состояния найдено сечение многофононного захвата для предельных случаев температур, соответствующих термически активированному и квантовому переходам между электронноколебательными термами.