Аннотация:
С применениенм метода маятниковых полос рентгеновских лучей показано, что для всей исследуемой области дислокационного кристалла распределение маятниковых полос совподает с теоретическими линиями изонапряжений. Это обстоятельство позволяет использовать данный метод для исследования механических напряжений вокруг дислокаций в монокристаллах Si.