Аннотация:
Теоретически исследован процесс захвата электрона в $\mathrm{GaAs/AlAs}$-структуре сферическая квантовая точка–квантовая яма. Рассчитана скорость процесса захвата с участием двух полярных оптических фононов с учетом эффекта ограничения фононов. Показано, что скорость захвата превышает $10^{10} \ c ^{-1}$ при температуре $T>100~K$. Малые времена захвата достигаются также при низких концентрациях носителей.