RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки // Архив

Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 2010, том 152, книга 4, страницы 7–20 (Mi uzku880)

Транспортные свойства полупроводниковой вертикальной двойной квантовой точки с низкими потенциальными барьерами

А. О. Бадрутдиновa, Ш. М. Хуангb, К. Оноb, К. Koнoba, Д. А. Таюрскийa

a Институт физики Казанского (Приволжского) федерального университета
b Институт физических и химических исследований РИКЕН (Япония)

Аннотация: Представлены результаты исследований энергетического спектра вертикальной двойной квантовой точки на основе арсенида галлия. Особенностью исследуемого образца являются относительно низкие потенциальные барьеры между точками и прилежащими электронными резервуарами, что приводит к сильной туннельной связи, увеличенному перекрытию волновых функций и низкому сопротивлению. В результате ожидается, что квантовый транспорт через исследуемую двойную точку может иметь специфические особенности.

Ключевые слова: двойная квантовая точка, квантовый транспорт, кулоновская блокада, низкие температуры.

УДК: 538.9(06)+539.2(06)

Поступила в редакцию: 27.09.2010



© МИАН, 2024