Аннотация:
Исследована фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс
LPCVD-пленок нитрида кремния, имплантированных ионами азота и отожженных при
температурах 800 и 1200 °C. Показано, что быстрый термический отжиг в течение 3 мин при
800 °C исходной нитридной пленки приводит к уменьшению сигнала люминесценции, тогда как
отжиг при 1200 °C приводит к увеличению интенсивности свечения в сине-зеленой области.
Имплантация азота приводит к полному тушению сигнала люминесценции, что вероятнее
всего связано с радиационными повреждениями. Однако предварительная имплантация азота
дозой 1*10 $^{16}$$cм^{-2}$ усиливает свечение в сине-зеленой области после отжига при 1200°C.
Это подтверждает вклад собственных дефектов аморфного нитрида кремния (N-центров)в
люминесценцию в высокоэнергетической области спектр
