Электрические поля в пластически деформированных кристаллах с заряженными дислокациями

Приведены выражения для напряженностей электрических полей, формируемых при срабатывании дислокационного источника в кристалле с заряженными дислокациями. Отдельно рассмотрены область источника и скопление испущенных им дислокаций. Первая представлена как плоский заряженный слой, суммарный заряд которого равен по величине заряду дислокаций в скоплении.