Расчет потенциала ионизации фталоцианинатов цинка и графена на поверхности диэлектриков

Предложена математическая модель расчета потенциалов ионизации молекул на поверхности диэлектриков с целью количественной оценки изменения электронных характеристик материалов на подложке. Полупроводниковые и фотоэлектронные свойства наносистем на базе производных фталоцианина обусловлены электронной структурой молекул. На основе молекулы фталоцианината цинка ZnC$_{32}$N$_8$H$_{16}$ построены модельные структуры, которые увеличивают эту молекулу за счет присоединения бензольных колец ZnC$_{48}$N$_8$H$_{24}$, ZnC$_{64}$N$_8$H$_{32}$, и модель, имитирующая пленочную структуру Zn$_4$C$_{120}$N$_{32}$H$_{48}$. Графен рассматривался как наноструктура, моделирующая фрагмент мономерной пленки. Рассчитаны потенциалы ионизации этих соединений на поверхности оксида магния, хлорида натрия и кремния. В присутствии подложки потенциалы ионизации всех наноструктур понижаются, при этом значения поверхностных потенциалов ионизации остаются принципиально разными для всех соединений. Соединение ZnC$_{64}$N$_8$H$_{32}$, напыленное на поверхность, проявляет лучшие фотоэлектронные свойства, его поверхностный потенциал ионизации сравним с потенциалом графена.