RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия «Математика. Механика. Физика» // Архив

Вестн. Южно-Ур. ун-та. Сер. Матем. Мех. Физ., 2021, том 13, выпуск 1, страницы 41–51 (Mi vyurm472)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика

Структура и электронные свойства кристаллов 3-12 фторографена

М. Е. Беленков, В. М. Чернов, А. В. Бутаков, Е. А. Беленков

Челябинский государственный университет, г. Челябинск, Российская Федерация

Аннотация: Трехмерная структура кристаллов, сформированных из слоев 3-12 фторированного графена, упакованных в стопки была найдена методом атом-атомного потенциала. Расчеты электронных свойств СF-L$_{3-12}$ кристаллов были выполнены методом теории функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. В результате расчетов было установлено, что расстояние между слоями в кристаллах, соответствующее минимуму энергии межслоевых связей, составляет 5,7578 Å, абсолютное значение вектора сдвига соседних слоев составляет 1,4656 Å. Электронная структура трехмерных кристаллов отличается от электронной структуры изолированных слоев 3-12 фторографена. Найденное значение ширины запрещенной зоны в объемных кристаллах составляет 3,03 эВ, что примерно на 12 % меньше, чем в отдельном слое CF-L$_{3-12}$ (3,43 эВ). Рассчитанное значение удельной энергии сублимации кристалла 3-12 фторографена составляет 13,83 эВ/(CF), что на 0,06 эВ больше энергии сублимации изолированного фторографенового слоя.

Ключевые слова: графен, фторированный графен, кристаллическая структура, зонная структура, компьютерное моделирование.

УДК: 538.911

Поступила в редакцию: 18.01.2021

DOI: 10.14529/mmph210105



© МИАН, 2024