RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия «Математика. Механика. Физика» // Архив

Вестн. Южно-Ур. ун-та. Сер. Матем. Мех. Физ., 2022, том 14, выпуск 4, страницы 52–58 (Mi vyurm537)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика

Моделирование полиморфных разновидностей функционализированного гидроксильной группой L4-6-12 графена

М. Е. Беленков, В. А. Грешняков, В. М. Чернов

Челябинский государственный университет, г. Челябинск, Российская Федерация

Аннотация: Методом теории функционала плотности при использовании приближения обобщенного градиента выполнено моделирование трех новых полиморфных разновидностей функционализированного гидроксильной группой графена, состоящего только из парных топологических дефектов 4-6-12. Моделирование слоев проведено для примитивных гексагональных элементарных ячеек с типами присоединения гидроксильной группы T1, T2, T3. Каждая из рассматриваемых элементарных ячеек содержала 36 атомов. В результате проведенных расчетов установлено, что углеродный каркас исходного слоя остается устойчивым при функционализации по типам T1 и T3, а функционализированный слой T2 претерпевает разрушение. Слоевая плотность в гидроксиграфеновых слоях L4-6-12 с типами присоединения T1 и T3 составляет 1,34 и 1,36 мг/м$^{2}$, соответственно, которая меньше слоевой плотности для аналогичных фторографеновых слоев на 0,08-0,16 мг/м$^{2}$. Энергии сублимации устойчивых слоев T1 и T3 составили 18,16 и 17,37 эВ/(COH), соответственно. Для определения запрещенной зоны были рассчитаны плотности электронных состояний и зонные структуры. Величина ширины запрещенной зоны оказалась равной 3,33 эВ для слоя T1 и 1,93 эВ для слоя T3, что позволило отнести полученные слои к полупроводникам.

Ключевые слова: графен, гидроксильная группа, ab initio расчеты, электронные свойства, полиморфизм, кристаллическая структура, функционализация.

УДК: 538.911; 548.33; 620.3

Поступила в редакцию: 15.10.2022

DOI: 10.14529/mmph220407



© МИАН, 2024