The analysis and processing of information for one stochastic system of the Sobolev type

Cтатья посвящена анализу и обработке информации для стохастической модели, основанной на уравнении распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике с производной Нельсона–Гликлиха и начальным условием Шоуолтера–Сидорова. Под полупроводником мы будем понимать вещества, обладающие конечной электропроводностью, быстро возрастающей с ростом температуры. Предполагается, что на экспериментальные начальные данные возможно влияние случайных помех, которые приводят к исследованию стохастической модели. В работе приведен анализ полученной стохастической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике. Найдены условия, при которых существует потраекторное существование решений исследуемой модели с начальным условием Шоуолтера–Сидорова. На базе теоретических результатов разработан алгоритм численного анализа системы и представлена его реализация в виде вычислительного эксперимента, который необходим для дальнейшей обработки информации.