Асимптотическое исследование модели диода с сильно легированными приконтактными областями

Исследуется одномерная стационарная модель диода с сильно легированными окрестностями контактов. Для широкого диапазона величин протекающих токов построена и обоснована асимптотика решения соответствующей краевой дифференциальной задачи. Приведены результаты численного расчета примеров. Обсуждаются возможные усложнения и обобщения модели.