Об асимптотике решения задачи о пробое полупроводникового прибора

Строится и обосновывается асимптотическое разложение решения сингулярно возмущенной краевой задачи для системы обыкновенных дифференциальных уравнений, моделирующей процесс пробоя одномерного полупроводникового прибора, связанный с лавинной генерацией носителей заряда. Рассмотрены частные случаи диода и триода, приводятся их вольт-амперные характеристики.