Численно-асимптотический анализ переходных процессов в полупроводниках

Разработан метод построения приближенного решения системы уравнений дрейфово-диффузионной модели в низшем порядке теории сингулярных возмущений. Рассмотренный подход позволяет анализировать как стационарные, так и динамические закономерности процессов переноса в полупроводниковых структурах.