О внутреннем переходном слое в одной задаче теории полупроводниковых плёнок

Строятся и обосновываются асимптотические разложения решений сингулярно возмущенной краевой задачи для системы обыкновенных дифференциальных уравнений, моделирующей распределение носителей заряда в полупроводниковой пленке и имеющей решение, содержащее внутренний переходный слой.