Разностная схема для задачи воздействия фемтосекундного импульса на полупроводник при нелинейной подвижности

Предложена разностная схема для задачи воздействия фемтосекундного импульса на полупроводник при нелинейных зависимостях коэффициента поглощения световой энергии и коэффициента подвижности электронов от светоиндуцированного электрического поля. Проведено сравнение эффективности предложенной разностной схемы для расчетов различных режимов, реализующихся в полупроводнике, с известными ранее схемами. Показано, что предложенная схема позволяет рассчитывать режимы, для которых известные ранее схемы непригодны. Библ. 9. Фиг. 4. Табл. 1.