Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET

Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для нахождения распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET. В классе гидродинамических моделей, описывающих процесс переноса заряда в полупроводниках, содержится уравнение Пуассона для электрического потенциала. Вследствие нелинейности уравнений гидродинамических моделей, наличия в них малых параметров и специфических условий на границе области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений уравнения Пуассона возникают существенные сложности. Предлагается оригинальный алгоритм, основанный на методе установления и идеях схем без насыщения, позволяющий справиться с упомянутыми трудностями. Библ. 22. Фиг. 7. Табл. 3.