Semiconductors

Электронная структура валентной зоны нитрида галлия при адсорбции натрия

M. N. Lapushkin^a, A. M. Mizerov^b, S. N. Timoshnev<sup>b

a</sup> Ioffe Institute, St. Petersburg
^b Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg

Received: 20.03.2025
Revised: 22.03.2025
Accepted: 24.03.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.04.60542.53-25