Semiconductors

Высокотемпературная диффузия бериллия в AlN как направление решения проблемы легирования $p$-типа и снижения интенсивности оптического поглощения

E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, O. P. Kazarova, V. A. Soltamov

Ioffe Institute, St. Petersburg

Received: 25.05.2025
Revised: 25.05.2025
Accepted: 27.05.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.06.60938.141-25