Surface physics, thin films

Миграция атомов Si на W(100) при образовании поверхностного силицида вольфрама

E. V. Rut'kov, E. Yu. Afanas'eva, N. R. Gall'

Ioffe Institute, St. Petersburg

Received: 17.07.2025
Revised: 18.07.2025
Accepted: 18.07.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.08.61331.200-25