MECHANISMS OF THE BREAKDOWN TENSION REDUCTION IN SILICON HIGH-VOLTAGE MULTI-LAYERED STRUCTURES

V. A. Kuz'min, A. S. Kyuregyan, Yu. G. Sorokin, V. V. Fedorov, O. V. Bogorodsky, T. P. Vorontsova, O. S. Zhgutova, V. A. Zlobin, L. A. Kirdyashkina, Yu. M. Loktaev, L. S. Rybachyuk, P. N. Shlygin


UDC: 537.311.33

Received: 16.04.1984
Revised: 16.07.1984

Bibliographic databases:

•