Solid-State Electronics

Синапс-резистор на основе перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия

D. A. Kalmykov^a, V. Sh. Aliev^ab, S. G. Bortnikov<sup>a

a</sup> Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk
^b Novosibirsk State Technical University

Received: 26.12.2024
Revised: 02.02.2025
Accepted: 09.03.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.07.60663.469-24