XXIX Symposium "Nanophysics and Nanoelectronics" in Nizhny Novgorod, March 10-14, 2025
Solid-State Electronics

Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)

A. V. Kruglov, D. A. Serov, A. I. Belov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, D. A. Antonov, D. O. Filatov, V. A. Khabibulova, A. N. Mikhaylov, O. N. Gorshkov

National Research Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Received: 18.04.2025
Revised: 07.07.2025
Accepted: 11.07.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.09.61234.71-25