RUS  ENG
Full version
JOURNALS // Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki // Archive

Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 2026 Volume 96, Issue 4, Pages 816–823 (Mi jtf9930)

Physical electronics

Структурные изменения и глубинное перераспределение имплантированных примесей In и As в Si при стационарной и импульсной термообработке

R. I. Batalova, V. V. Bazarova, E. M. Begisheva, V. F. Valeeva, V. I. Nuzhdina, F. F. Komarovb, I. K. Chuprisb

a Zavoisky Physical Technical Institute, Kazan Scientific Center of the Russian Academy of Sciences
b A. N. Sevchenko Research Institute of Applied Physical Problems, Belarusian State University, Minsk

Received: 21.11.2025
Revised: 10.12.2025
Accepted: 15.12.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.04.62670.318-25



© Steklov Math. Inst. of RAS, 2026