Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)

Z. I. Alferov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, V. V. Krasovskii