D. Z. Garbuzov, I. N. Arsent'ev, V. P. Chalyi, A. V. Chudinov, V. P. Evtikhiev, V. B. Khalfin, “Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (<nobr>${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$</nobr> см), полученные методом жидкостной эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1984, Volume 18, Issue 11,Pages <nobr>2041

Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии

D. Z. Garbuzov, I. N. Arsent'ev, V. P. Chalyi, A. V. Chudinov, V. P. Evtikhiev, V. B. Khalfin