I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, E. V. Tulashvili, “Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1983, Volume 17, Issue 5,Pages 843

Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)

I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, D. Z. Garbuzov, E. V. Tulashvili