D. Z. Garbuzov, V. P. Chalyi, A. E. Svetlokuzev, V. B. Khalfin, A. L. Termartirosyan, “Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм) и InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.85}$ мкм)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1988, Volume 22, Issue 4,Pages 657

Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм) и InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.85}$ мкм)

D. Z. Garbuzov, V. P. Chalyi, A. E. Svetlokuzev, V. B. Khalfin, A. L. Termartirosyan