Short Notes

Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования

È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, M. V. Tishkin