Structures with Ionically Implanted p${-}$n Junction Based on Epitaxial $4H$-SiC with $S$-Like Current–Voltage Characteristic

M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov