Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов

P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov