Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$, (AlSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$

V. P. Ambros, I. I. Burdiyan, E. I. Georgitse, I. T. Postolaki, V. M. Pogorletskii