О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии

D. I. Lubyshev, V. P. Migal, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, S. I. Stenin, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev