RUS  ENG
Full version
JOURNALS // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov // Archive

Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1990 Volume 24, Issue 12, Pages 2217–2219 (Mi phts4131)

Short Notes

Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком

Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, S. V. Novikov, D. N. Shelkovnikov




© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024