RUS
ENG
Full version
JOURNALS
// Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
// Archive
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov,
1990
Volume 24,
Issue 12,
Pages
2217–2219
(Mi phts4131)
Short Notes
Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком
Yu. F. Birulin
,
V. V. Vorob'eva
,
S. V. Novikov
, D. N. Shelkovnikov
Fulltext:
PDF file (461 kB)
©
Steklov Math. Inst. of RAS
, 2024