Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием

V. S. Ershov, 3. A. Zaitsevskaya, A. A. Kal'fa, A. R. Kryukov, S. V. Matytsyn, A. B. Pashkovskii, Yu. Yu. Fedorov