Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт

D. Z. Garbuzov, I. E. Berishev, Y. V. Ilin, N. D. Il'inskaya, A. V. Ovchinnikov, N. A. Pikhtin, N. L. Rassudov, I. S. Tarasov