Short Notes

Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона

V. N. Denisov, B. N. Mavrin, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev