A. S. Vedeneev, A. G. Gaivoronskii, A. G. Zhdan, “Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник<nobr>$-$</nobr>диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1992, Volume 26, Issue 12,Pages <nobr>2017

Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник$-$диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов

A. S. Vedeneev^a, A. G. Gaivoronskii^b, A. G. Zhdan^c

^a Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
^b Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Sciences, Fryazino Department
^c Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of the Russian Academy of Sciences, Moscow

Received: 19.03.1992
Accepted: 26.03.1992