RUS  ENG
Full version
JOURNALS // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov // Archive

Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1987 Volume 21, Issue 2, Pages 207–211 (Mi phts556)

Peculiarities of High-Temperature Luminescence of Boron-Doped Silicon Carbide Epitaxial Layers

Yu. A. Vodakov, E. E. Goncharov, G. A. Lomakina, A. A. Mal'tsev, E. N. Mokhov, V. G. Oding




© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024