RUS  ENG
Full version
JOURNALS // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov // Archive

Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1987 Volume 21, Issue 5, Pages 920–922 (Mi phts711)

Short Notes

Study of the Formation of $\beta$-SiC Monocrystalline Layers on Si by the Method of Highly Intense Ionic Doping

P. A. Aleksandrov, E. K. Baranova, K. D. Demakov, A. S. Ignat'ev, F. F. Komarov, A. P. Novikov




© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024