RUS  ENG
Full version
JOURNALS // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov // Archive

Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1987 Volume 21, Issue 10, Pages 1863–1867 (Mi phts918)

Residual Defects in Silicon under Implantation of As$^{+}$ Ions in the Self-Annealing Mode

F. F. Komarov, E. V. Kotov, A. P. Novikov, S. A. Petrov, T. T. Samoilyuk




© Steklov Math. Inst. of RAS, 2024