CRYSTALLIZATION OF SILICON-CARBIDE MONOCRYSTAL LAYERS ON SILICON AT 1050-1250-DEGREES-C

I. M. Baranov, N. A. Belov, V. A. Dmitriev, N. G. Ivanova, T. S. Kondrateva, I. P. Nikitina, V. E. Chelnokov, V. F. Shatalov, R. N. Erlikh

Bibliographic databases:

•